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全视科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103684367B | 用于减少输出变化的比较器电路 | 2016.06.29 | 本发明涉及一种用于减少的输出变化的比较器电路。比较器电路用于产生表示输入信号与参考信号的比较的信号。 |
| 2 | CN105810703A | 蓝增强图像传感器 | 2016.07.27 | 本申请案涉及一种蓝增强图像传感器。背侧照明图像传感器包含具有前侧及背侧的半导体材料。所述半导体材料被 |
| 3 | CN105721841A | 高分辨率阵列摄像机 | 2016.06.29 | 本申请案涉及一种高分辨率阵列摄像机。一种产生高分辨率彩色图像的方法包含将第一图像聚焦到具有P分辨率的 |
| 4 | CN106067454A | 具有强化的晶片接合的集成电路堆叠 | 2016.11.02 | 本申请案涉及具有强化的晶片接合的集成电路堆叠。一种集成电路系统包含第一装置晶片及第二装置晶片。晶片接 |
| 5 | CN105763788A | 用于飞行时间成像系统的校准电路及方法 | 2016.07.13 | 本申请案涉及用于飞行时间成像系统的校准电路及方法。一种飞行时间成像系统包含：光源，所述光源经耦合以响 |
| 6 | CN105957840A | 具有可拆卸透明盖的成像封装 | 2016.09.21 | 本申请案涉及一种具有可拆卸透明盖的成像封装。成像封装包含：图像传感器封装，其借助于半导体衬底而形成。 |
| 7 | CN105810702A | 彩色滤光器阵列上的光学隔离栅格 | 2016.07.27 | 本申请案涉及一种彩色滤光器阵列上的光学隔离栅格。一种彩色图像传感器包含布置在像素阵列中的多个像素单元 |
| 8 | CN103367376B | 具有增强离子掺杂的方法及装置 | 2016.07.20 | 本发明涉及具有增强离子掺杂的方法及装置。本发明涉及用于提供展现半导体衬底中改进的掺杂的像素单元的技术 |
| 9 | CN105655363A | 具有多个存储节点的图像传感器像素 | 2016.06.08 | 本发明涉及一种具有多个存储节点的图像传感器像素。图像传感器像素包含光电二极管、第一存储节点、第二存储 |
| 10 | CN103631076B | 用于减少所投影图像中的斑点的装置及方法 | 2016.08.17 | 本申请案涉及用于减少所投影图像中的斑点的装置及方法。图像投影仪包含用于显示光的光源及耦合到面内振动器 |
| 11 | CN105895645A | 像素阵列及图像感测系统 | 2016.08.24 | 本申请案涉及一种像素阵列及一种图像感测系统。一种像素阵列包含布置于所述像素阵列中的多个可见光像素。所 |
| 12 | CN106249332A | 彩色滤光片阵列、彩色滤光片阵列设备及图像传感器 | 2016.12.21 | 本发明涉及彩色滤光片阵列、彩色滤光片阵列设备及图像传感器。彩色滤光片阵列的实施例包含多个平铺的最小重 |
| 13 | CN106129072A | 堆叠芯片共享像素架构 | 2016.11.16 | 本发明涉及一种堆叠芯片共享像素架构。图像传感器包含安置于第一半导体裸片中的像素阵列。所述像素阵列被分 |
| 14 | CN103066111B | 具有自对准沟道宽度的晶体管 | 2016.07.06 | 本发明涉及具有自对准沟道宽度的晶体管。一种装置包含晶体管，所述晶体管包含：源极及漏极，其安置于衬底中 |
| 15 | CN105990385A | 用于图像传感器的光敏电容器像素 | 2016.10.05 | 本申请案涉及用于图像传感器的光敏电容器像素。揭示一种图像传感器像素及图像传感器以及制造图像传感器像素 |
| 16 | CN106158892A | 具有电介质层反射环的背侧照明图像传感器像素 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种具有电介质层反射环的背侧照明图像传感器像素。图像传感器包含接近于半导体材料的前侧以积累 |
| 17 | CN106067955A | 用于图像传感器的读出电路 | 2016.11.02 | 本申请案涉及一种用于图像传感器的读出电路。用以读出图像传感器像素阵列的读出电路包含读出单元，所述读出 |
| 18 | CN106060434A | 通过斜坡产生器的图像传感器电源抑制比噪声消减 | 2016.10.26 | 本申请案涉及通过斜坡产生器的图像传感器电源抑制比噪声消减。斜坡产生器包含供电电压采样电路，所述供电电 |
| 19 | CN106060435A | 用于低噪声图像传感器的斜坡产生器 | 2016.10.26 | 本申请案涉及用于低噪声图像传感器的斜坡产生器。一种用于图像传感器中的读出电路包含感测放大器电路，所述 |
| 20 | CN106059581A | 用于图像传感器的多斜率列并行模/数转换中的校准 | 2016.10.26 | 本申请案涉及用于图像传感器的多斜率列并行模/数转换中的校准。一方面的方法包含用像素阵列获取模拟图像数 |
| 21 | CN106027857A | 低电力智能图像捕获 | 2016.10.12 | 本发明涉及低电力智能图像捕获。捕获图像的方法包含：如果电子装置的经检查的电池电平小于电池阈值电平，那 |
| 22 | CN105323537B | 使用移动平台的视频会议 | 2016.10.05 | 本发明揭示用于提供针对移动平台的视频会议的方法及网络系统。通过将第一移动平台登录到会议服务器中来提供 |
| 23 | CN102197641B | 改进缺陷色彩及全色滤色器阵列图像 | 2016.09.28 | 本发明涉及一种改进来自图像传感器的具有多个色彩通道及一全色通道的第一滤色器阵列图像的方法，其包含：借 |
| 24 | CN105979173A | 对双转换增益高动态范围传感器的补偿 | 2016.09.28 | 本申请案涉及对双转换增益高动态范围传感器的补偿。揭示一种图像传感器、用于图像传感器的读出电路以及操作 |
| 25 | CN102057668B | 宽孔径图像传感器像素 | 2016.09.21 | 本发明涉及一种图像传感器，其包含四个像素的单位单元(204)。所述单位单元包含：四个光敏区域(211 |
| 26 | CN103545296B | 具有集成电磁干扰屏蔽的集成电路堆叠 | 2016.09.21 | 本发明涉及一种具有集成电磁干扰屏蔽的集成电路堆叠。集成电路系统包括具有接近包括安置在第一金属层氧化物 |
| 27 | CN103066061B | 相机模块及包括相机模块的系统 | 2016.09.21 | 本申请案涉及一种相机模块及一种包括所述相机模块的系统。本发明的实施例描述安置在晶片级相机模块之上的电 |
| 28 | CN103326723B | 用于图像传感器的多斜率列并行模/数转换中的校准 | 2016.09.07 | 本申请案涉及用于图像传感器的多斜率列并行模/数转换中的校准。一方面的方法包含用像素阵列获取模拟图像数 |
| 29 | CN103579268B | 具有色彩滤光器的分割图像传感器的透镜阵列 | 2016.09.07 | 本申请案涉及一种具有色彩滤光器的分割图像传感器的透镜阵列。一种设备包含图像传感器，所述图像传感器包含 |
| 30 | CN105932033A | 用以减少图像记忆效应的带负电荷层 | 2016.09.07 | 本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂 |
| 31 | CN103730397B | 图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置 | 2016.08.31 | 本申请案涉及一种图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置。图像传感器像素包含光敏元件、浮动扩散“FD”区 |
| 32 | CN105845699A | 用以减少图像记忆效应的带负电荷层 | 2016.08.10 | 本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂 |
| 33 | CN103811506B | 集成电路系统、成像传感器系统及其制作方法 | 2016.08.10 | 本申请案涉及一种集成电路系统、图像传感器系统及其制作方法。集成电路系统包含在电介质的接合界面处接合到 |
| 34 | CN105845698A | 具有经增强量子效率的图像传感器 | 2016.08.10 | 本申请案涉及具有经增强量子效率的图像传感器。一种背侧照明式图像传感器包含：像素阵列，其包含半导体材料 |
| 35 | CN105826337A | 具有光学隔离的存储晶体管 | 2016.08.03 | 本申请案涉及一种具有光学隔离的存储晶体管。具有存储区的存储晶体管安置在半导体材料中。栅电极在夹层的底 |
| 36 | CN103258830B | 包括图像传感器的设备、半导体装置及其制造方法 | 2016.08.03 | 本发明涉及一种包括图像传感器的设备、半导体装置及其制造方法。一种设备包含具有前侧和后侧的图像传感器。 |
| 37 | CN102007761B | 用于图像传感器的同心曝光序列 | 2016.08.03 | 本发明涉及一种用于图像捕获的方法，其包含：提供具有至少一个经分段像素行的图像传感器，其中所述至少一个 |
| 38 | CN105828004A | 用于实施扩展范围逐次逼近模/数转换器的方法及系统 | 2016.08.03 | 本发明涉及用于实施扩展范围逐次逼近模/数转换器的方法及系统。一种实施扩展范围逐次逼近模/数转换器AD |
| 39 | CN105810699A | 具有支撑结构以提供经改进滤光器厚度均匀性的彩色滤光器阵列 | 2016.07.27 | 本申请案涉及一种具有支撑结构以提供经改进滤光器厚度均匀性的彩色滤光器阵列。在彩色图像传感器上使用的彩 |
| 40 | CN105739584A | 用于飞行时间3D图像传感器的可编程电流源 | 2016.07.06 | 本申请案涉及用于飞行时间3D图像传感器的可编程电流源。供与飞行时间像素单元一起使用的可编程电流源包含 |
| 41 | CN103297714B | 用于飞行时间传感器的电路配置和方法 | 2016.07.06 | 本申请案涉及用于飞行时间传感器的电路配置和方法。一种设备包含光电二极管、第一和第二存储晶体管、第一和 |
| 42 | CN103580662B | 用于减少的电荷注入的CMOS图像传感器开关电路 | 2016.06.29 | 本申请案涉及一种用于减少的电荷的CMOS图像传感器开关电路。本发明涉及一种包含用以减少电荷注入的效应 |
| 43 | CN105721798A | 用于HDR成像的系统及方法 | 2016.06.29 | 本申请案涉及一种用于HDR成像的系统及方法。使用一种成像系统产生图像，其包含在第一曝光期间用所述成像 |
| 44 | CN103219350B | 用于3D成像的有具有交替偏光的滤光器的图像传感器 | 2016.06.22 | 本申请案涉及一种用于3d成像的有具有交替偏光的滤光器的图像传感器。一种用于三维“3D”成像的图像传感 |
| 45 | CN103051847B | 高动态范围子取样架构 | 2016.06.15 | 本发明描述一种在包含像素阵列的图像传感器中实施高动态范围区间算法的方法，所述像素阵列带有具有第一积分 |
| 46 | CN105681696A | 像素单元、图像传感器及提升像素单元中复位电平的方法 | 2016.06.15 | 本申请案涉及像素单元、图像传感器及用于提升像素单元中的复位电平的方法。在复位操作期间通过将像素单元的 |
| 47 | CN103247647B | 背侧照明成像传感器中的侧向光屏蔽物 | 2016.06.15 | 本申请案涉及背侧照明成像传感器中的侧向光屏蔽物。一种背侧照明图像传感器包含半导体层和安置在所述半导体 |
| 48 | CN105635606A | 实施具有改良模数转换器线性的相关多采样的方法及系统 | 2016.06.01 | 本申请案涉及用于实施具有改进的模/数转换器线性的相关多采样的方法及系统。一种在图像传感器中实施具有改 |
| 49 | CN105633105A | 用以最小化颜色混叠的RGBC彩色滤光器阵列图案 | 2016.06.01 | 本发明涉及用以最小化颜色混叠的RGBC彩色滤光器阵列图案。彩色滤光器阵列的实施方案包括多个平铺式最小 |
| 50 | CN103137639B | 包含光导的背侧照明式(BSI)像素 | 2016.05.25 | 本申请案涉及包含光导的背侧照明式BSI像素。本发明涉及像素的实施方案，所述像素包含：衬底，其具有前侧 |
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